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研究者・日本1900年代前半

江崎玲於奈は、日本の物理学者。
日本国外においてはレオ・エサキ（Leo Esaki）の名で知られる。

西暦1973年（昭和48年）、 トンネル効果の研究に関連して、 アイヴァー・ジェーバー、ブライアン・ジョゼフソンとともにノーベル物理学賞を受賞し、 日本人としては4人目となるノーベル賞受賞者となった。

文化勲章受章者、勲一等旭日大綬章受章者。

小柴 昌俊は、日本の物理学者、天文学者。

勲等は勲一等。 正三位。 学位はPh.D（ロチェスター大学・1955年）、 理学博士（東京大学・1967年）。 東京大学特別栄誉教授・名誉教授、 東海大学特別栄誉教授、 杉並区立桃井第五小学校名誉校長、 日本学術会議栄誉会員、 日本学士院会員、 文化功労者。 血液型はA型。

シカゴ大学研究員、 東京大学原子核研究所助教授、 東京大学理学部教授、 東京大学高エネルギー物理学実験施設施設長、 東海大学理学部教授、 財団法人平成基礎科学財団理事長などを歴任した。

白川英樹は、日本の化学者。
学位は、工学博士（東京工業大学）。筑波大学名誉教授。日本学士院会員。

「導電性高分子の発見と発展」により、ノーベル化学賞受賞。文化功労者。文化勲章。

朝永 振一郎は、 日本の物理学者。理学博士(東京帝国大学・1939年)。 東京教育大学名誉教授。

相対論的に共変でなかった場の量子論を超多時間論で共変な形にして場の演算子を形成し、 場の量子論を一新した。 超多時間論を基に繰り込み理論の手法を発明、 量子電磁力学の発展に寄与した功績によりノーベル物理学賞を受賞した。

東京生まれで、少年時代以降は京都育ち。 なお、朝永家自体は長崎県の出身。武蔵野市名誉市民。

量子電気力学における基礎的研究のためにノーベル物理学賞を受賞した朝永振一郎は、 湯川秀樹の永遠のライバルと言えよう。 京都一中、第三高等学校、京都帝国大学、と湯川秀樹と同じ年に入学、 卒業し、 玉城教授の指導のもとに量子力学の研究者として出発している。 湯川も朝永も、 父親が京大教授でよく似た家庭に育ち、 お互いに切磋琢磨したのであろう。 朝永振一郎は、 大学卒業の頃の湯川のことをこう語っている。 「湯川くんは考えだすとぶつぶつと独り言を言ってうるさいので、僕は図書館に逃げることにしていたよ」

野依 良治は、日本の化学者（有機化学）。 学位は工学博士（京都大学・1967年）。 国立研究開発法人科学技術振興機構研究開発戦略センター長、 名古屋大学特別教授、 名城大学客員教授、 高砂香料工業株式会社取締役。 日本学士院会員。 2001年に「キラル触媒による不斉反応の研究」が評価されノーベル化学賞を受賞した。

名古屋大学大学院理学研究科研究科長、 理学部長、 物質科学国際研究センター長、 独立行政法人理化学研究所理事長などを歴任した。

舛岡富士雄（ますおか ふじお）　　西暦1943年5月8日 -

舛岡富士雄は、日本の電子工学研究者。 フラッシュメモリの発明者として知られており、 西暦1980年代にNOR型フラッシュメモリおよびNAND型フラッシュメモリを開発した。 西暦1988年には、 初期の非平面型3Dトランジスタである初のGate-all-around（GAA）MOSFET（GAAFET）トランジスタも発明している。

元東芝社員。東北大学名誉教授。 現在は日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者（CTO）として、 Surrounding Gate Transistor（SGT）の開発を行っている。 紫綬褒章（西暦2007年）、 文化功労者（西暦2013年）、 瑞宝重光章（西暦2016年）。 ...

東芝に入社後、 高性能なメモリを開発したが売れないことに業を煮やした舛岡は、 営業職を志願し、 アメリカ合衆国のコンピュータ会社を回った。 結局全然売る事ができず、 1年もたたずに営業職からは外される。 しかし、この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。 もっと安い製品はないのか」という言葉から、 性能の向上ばかり考えず、 需要に見合った機能を持つ製品を低コストで作るべきだと悟る。 結果、情報を1ビットごとではなく一括消去するという、 あえて性能を落としてコストを1/4以下にする方法を思いつき、 フラッシュメモリが発明されるに至った。

その後、東芝は舛岡を地位こそ研究所長に次ぐ高い地位だが、 反面、 研究費も部下も付かない技監（舛岡曰く窓際族）に昇進させようとした。 研究を続けたかった舛岡は、 何とか研究を続けられるよう懇願したが受け入れられず、 西暦1994年に東芝を退社した。
西暦1992年に東芝は当時は未熟だった市場拡大を目的としてNAND型フラッシュメモリの技術をサムスン電子に供与したが、 サムスンは巨額投資を重ねることで東芝を追い抜いて世界のフラッシュメモリのシェアで首位に立っている。 東芝のNAND型フラッシュメモリも利益の大部分を稼ぎ出す主力事業に育ったが、 西暦2017年にも東芝首脳部の判断への批判があり舛岡も東芝だけではなく、 日本にも自身の開発した技術を正しく評価してくれる者がいなかったと嘆いている。

その後、東北大学大学院や、 退官後に就任した日本ユニサンティスエレクトロニクス等で、 フラッシュメモリの容量を10倍に増やす技術や、 三次元構造のトランジスタ（Surrounding Gate Transistor）など、 現在も研究者として精力的に研究活動を行っている。

舛岡は自身が発明したフラッシュメモリの特許で、 東芝が得た少なくとも200億円の利益のうち、 発明者の貢献度を20％と算定。 本来受け取るべき相当の対価を40億円として、 その一部の10億円の支払いを求めて西暦2004年3月2日に東芝を相手取り、 東京地裁に訴えを起こした。
西暦2006年7月27日に東芝との和解が成立、 東芝側は舛岡に対し8700万円を支払うこととなった。

湯川秀樹は、 日本の物理学者（理論物理学）。 学位は、理学博士（大阪帝国大学・1938年）。 京都大学・大阪大学名誉教授。 京都市名誉市民。 1943年（昭和18年）文化勲章。 位階勲等は従二位勲一等旭日大綬章。

京都府京都市出身。 原子核内部において、 陽子や中性子を互いに結合させる強い相互作用の媒介となる中間子の存在を1935年に理論的に予言した。 1947年、 イギリスの物理学者セシル・パウエルが宇宙線の中からパイ中間子を発見したことにより、 湯川の理論の正しさが証明され、 これにより1949年（昭和24年）、 日本人として初めてノーベル賞を受賞した。